邓二平，男，1989年，博士，合肥综合性国家科学中心能源研究院研究员。
合肥工业大学电气与自动化工程学院教授，研究员/硕导。2013年哈尔滨工工业大学学士，2018年华北电力大学博士（硕博连续）。2014-2017年国网全球能源互联网研究院助理工程师， 2018-2020年德国开姆尼茨工业大学博士后，2018-2022年华北电力大学讲师，2020-2022年华电（烟台）功率半导体技术研究院副院长，2022年加入合肥工业大学。
办公电话：13260057843
电子邮件：erping.deng@hfut.edu.cn
研究方向：
1.功率半导体器件长期可靠性评估、寿命模型建立和失效机理研究，2.功率半导体器件在线状态监测和应用可靠性研究，3.功率半导体器件功率循环等可靠性测试方法、加速老化机理和理论研究，4.高压大功率IGBT器件封装、热管理和可靠性评估技术研究，5.宽禁带半导体器件(SiC和GaN)可靠性评估方法、封装技术研究。
科研工作：
主持国家自然科学基金青年基金1项；负责国家自然科学基金重点项目课题1项；主持中央高校基金和新能源电力系统国家重点实验室项目3项等；企业合作项目(横向项目)20余项，如德国Infineon总部项目，Infineon 压接项目，德国3-5PE项目，日本Toshiba压接项目，中车电动汽车模块项目，华为电动汽车模块项目，南瑞联研半导体压接和电网模块项目，中国铁科院6.5kV高铁模块项目，蔚来汽车电动汽车模块项目和其他SiC和GaN器件项目等;累积发表高水平论文70余篇，其中SCI检索论文30余篇，申请发明专利30余项，受国外出版社邀请编写2本英文书籍部分章节，各类行业期刊审稿人。
在研项目：
[1]. 国家自然科学基金青年基金，面向压接型IGBT器件功率循环测试方法及失效机理研究，起止：2021.01-2023.12，总经费24万元，项目负责人；
[2]. 中国铁科院定向横向项目，面向IGBT性能退化研究-IGBT加速老化试验与数据分析，起止:2022.01-2023.12，总经费169万元，项目负责人；
[3]. 日本东芝(Toshiba,国际半导体巨头)总部项目，面向压接型IGBT器件功率循环寿命评估，起止：2022.04-2023.04，总经费45.5万元，项目负责人。
代表论文：
[1]. Erping Deng*, Weinan Chen, Patrick Heimler, Josef Lutz, Temperature Influence on the Accuracy of the Transient Dual Interface Method for the Junction-to-Case Thermal Resistance Measurement, IEEE Transactions on Power Electronics, 2021. 36,(07) :7451-7460;
[2]. Erping Deng*, Ludger Borucki, Josef Lutz, Correction of Delay-Time-Induced Maximum Junction Temperature Offset During Electrothermal Characterization of IGBT Devices, IEEE Transactions on Power Electronics, 2021. 36(03): 2564-2573;
[3]. Erping Deng*, Zhibin Zhao, Peng Zhang, Xiaochuan Luo, Jinyuan Li, Yongzhang Huang, Study on the Method to Measure Thermal Contact Resistance Within Press Pack IGBTs, IEEE Transactions on Power Electronics, 2019. 34(02): 1509-1517;
[4]. Erping Deng*, Zhibin Zhao, Zhongkang Li, Ronggang Han, Yongzhang Huang, Influence of Temperature on the Pressure Distribution Within Press Pack IGBTs, IEEE Transactions on Power Electronics, 2018,33(07) :6048-6059;
[5]. Erping Deng*, Zhibin Zhao, Peng Zhang, Jinyuan Li, Yongzhang Huang, Study on the Method to Measure the Junction-to-Case Thermal Resistance of Press-Pack IGBTs, IEEE Transactions on Power Electronics, 2018,33(05): 4352-4361。
代表专利
[1]. 邓二平，赵志斌，陈杰，黄永章，一种预测功率器件结温的方法及系统，申请号：ZL201710508574.3，申请日：2017-06-28，授权日：2020-06-19；
[2]. 邓二平，陈杰，赵志斌，郭楠伟，黄永章，一种恒温装置温度的调节方法及调节系统，申请号：ZL201710646098.1，申请日：2017-08-01，授权日：2019-05-21；
[3]. 邓二平，申雅茹，赵志斌，黄永章，一种功率半导体器件热特性参数的确定方法及系统，申请号：ZL201711135701.6，申请日：2017-11-16，授权日：2020-04-07；
[4]. 邓二平，陈杰，郭楠伟，赵志斌，黄永章，一种半导体器件的功率循环测试系统，ZL201810651955.1，申请日：2018-06-22，授权日：2021-11-02；
[5]. 邓二平，赵雨山，郭楠伟，赵志斌，黄永章，一种半导体器件的功率循环测试方法及测试系统，ZL201810652147.7，申请日：2018-06-22，授权日：2019-09-03。
成果奖励：
[1]. 基于压接型IGBT器件相关研究工作，第二完成人，获2021年电工技术学会技术发明二等奖